Создан алмазный транзистор рекордных размеров

Группа ученых из Университета Глазго (Шотландия) изготовила самый маленький в мире алмазный транзистор, длина затвора которого составляет 50 нм.


Алмазный транзистор. Затвор, длина которого составляет 50 нм, расположен в центре фотографии

Алмаз в настоящее время рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для создания наноразмерных электронных компонентов. "У традиционных материалов — кремния, арсенида галлия — есть свои сильные и слабые стороны, в то время как алмаз практически универсален", — отмечает Дэвид Моран (David Moran), возглавивший работы по изготовлению транзистора.

Исходный материал для создания элемента был выращен специалистами английской компании Element 6 методом химического осаждения из паровой фазы. Для формирования структуры транзистора на поверхности алмазной пленки использовалась технология электронной литографии.

Как отмечает г-н Моран, алмазные транзисторы должны найти широкое применение в устройствах "следующего поколения" (в частности, ученый упоминает генераторы излучения терагерцового диапазона, на базе которых можно построить эффективные медицинские томографы и сканеры систем безопасности).

"Для развития таких технологий необходимы быстрые и мощные транзисторы, сохраняющие работоспособность в неблагоприятных погодных и температурных условиях, — говорит Дэвид Моран. — Конкурировать по совокупности этих параметров с алмазными транзисторами не может ни один существующий элемент".