Fujitsu и Epson продвигают память FRAM

В июне 2005 года компании Fujitsu и Epson объявили о своём стратегическом партнёрстве в области технологий памяти для того, чтобы совестными усилиями разработать память FRAM нового поколения. FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) – это ОЗУ, обладающее специальным ферритовым слоем, который позволяет хранить в памяти данные даже после отключения от питания. Кроме того, FRAM обладает более высокими скоростями записи, меньшим энергопотреблением и большим числом циклов перезаписи (до ста тысяч триллионов), чем традиционный NAND-флэш, также сохраняющий данные при отключении питания. Достижением альянса является новая ферроэлектрическая плёнка под названием PZT, а также новый технологический процесс, который позволяет изготавливать более ёмкие чипы.

Существующие CMOS-технологические процессы (CMOS - complementary metal-oxide semiconductor, комплементарный металло-оксидный полупроводник) могут быть легко модернизированы для изготовления FRAM, поэтому при первой возможности компании могут начать массовое производство этого вида памяти. Предполагается, что в первую очередь FRAM найдёт своё применения в портативных устройствах, вероятно, заменив при этом традиционную флэш-память.