Декабрь 19, 2019 Просмотры 88 просмотров

Fujitsu и Epson продвигают память FRAM

В июне 2005 года компании Fujitsu и Epson объявили о своём стратегическом партнёрстве в области технологий памяти для того, чтобы совестными усилиями разработать память FRAM нового поколения. FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) – это ОЗУ, обладающее специальным ферритовым слоем, который позволяет хранить в памяти данные даже после отключения от питания. Кроме того, FRAM обладает более высокими скоростями записи, меньшим энергопотреблением и большим числом циклов перезаписи (до ста тысяч триллионов), чем традиционный NAND-флэш, также сохраняющий данные при отключении питания. Достижением альянса является новая ферроэлектрическая плёнка под названием PZT, а также новый технологический процесс, который позволяет изготавливать более ёмкие чипы.

Существующие CMOS-технологические процессы (CMOS - complementary metal-oxide semiconductor, комплементарный металло-оксидный полупроводник) могут быть легко модернизированы для изготовления FRAM, поэтому при первой возможности компании могут начать массовое производство этого вида памяти. Предполагается, что в первую очередь FRAM найдёт своё применения в портативных устройствах, вероятно, заменив при этом традиционную флэш-память.


Просмотры 88 просмотров

Отзывы

Админ
Отлично!
Март 28 Админ

Статьи и обзоры Все статьи

Китайская компания Tecno Mobie, вышла на мировой рынок несколько лет ...
Новые наушники от Apple уже доступны на официальном сайте производителя ...
Новая колонка Яндекс имеет пять динамиков, трехполосное звучание, хорошее сочетание ...
“Невероятно кривая железка” - так выразился основатель Телеграма о последнем ...