Hynix получила DDR3 сертификацию от Intel

Hynix Semiconductor в своем анонсе сообщила, что ею от Intel получена сертификация модулей памяти DDR3. Данные 1 Гб модули памяти DDR3 производятся с использованием 80 нм техпроцесса и работают на частоте 800 МГц и 1066 МГц при напряжении в 1,5 В. Модули памяти имеют комбинацию таймингов 5-5-5 и 6-6-6 для 800 МГц и 7-7-7 для 1066 МГц.

В дополнение к высокой скорости, DDR3 позволяет сократить энергопотребление на 25 % по сравнению с DDR2.

DDR3 — это новое поколение оперативной памяти DRAM. По оценкам аналитического агентства iSuppli, объем продаж DDR3 достигнет 25 % всех продаж модулей памяти к концу 2008 года и станет доминирующим на рынке в 2010 году.

Hynix планирует перевести производство DDR3 на 66 нм техпроцесс к концу года.