Hynix Semiconductor в своем анонсе сообщила, что ею от Intel получена сертификация модулей памяти DDR3. Данные 1 Гб модули памяти DDR3 производятся с использованием 80 нм техпроцесса и работают на частоте 800 МГц и 1066 МГц при напряжении в 1,5 В. Модули памяти имеют комбинацию таймингов 5-5-5 и 6-6-6 для 800 МГц и 7-7-7 для 1066 МГц.
В дополнение к высокой скорости, DDR3 позволяет сократить энергопотребление на 25 % по сравнению с DDR2.
DDR3 — это новое поколение оперативной памяти DRAM. По оценкам аналитического агентства iSuppli, объем продаж DDR3 достигнет 25 % всех продаж модулей памяти к концу 2008 года и станет доминирующим на рынке в 2010 году.
Hynix планирует перевести производство DDR3 на 66 нм техпроцесс к концу года.
9 просмотров
Статистика просмотров страницы:
- за текущий месяц (Март 2024) - 1;
- за прошлый месяц (Февраль 2024) - 3;
- за последние 3 месяца (Декабрь 2023 - Февраль 2024) - 3;
- за последний год (Март 2023 - Февраль 2024) - 5;
Статьи и обзоры Все статьи
GT & Industrial Systems, LP, действующая в Узбекистане через зарегистрированное ...
В начале 2000-х мир киберспорта переживал свою золотую эпоху, а ...
Бухгалтерская программа 1C способствует успешному развитию бизнеса в условиях современной ...
Автоматизация бизнес-процессов и повышение эффективности компании с помощью программы 1С.