В Токио разработана органическая флеш-память

Исследователи из токийского университета во главе с Такео Сомея (Takeo Someya) и Цуеси Секитани (Tsuyoshi Sekitani) разработали новый тип флеш-памяти, в основу которой легли органические структуры. Рабочее напряжение во время записи и чтения информации составляет 6 и 1 вольт соответственно, при этом перезаписывать данные можно более 1000 раз.

Сферой применения подобной разработки являются крупные сенсорные устройства, гаджеты на основе электронной бумаги и другие девайсы, где требуется недорогая и непроизводительная память. Главным недостатком органической памяти является непродолжительное время хранения информации - не более одного дня.

Подобная память отличается высокой гибкостью. Подложку можно согнуть на радиус 6 мм без какого-либо ущерба. Это делает разработку весьма перспективной для различного рода устройств.

Информация о появлении технологии на рынке пока не поступала.


По материалам Electronista