Исследователи из токийского университета во главе с Такео Сомея (Takeo Someya) и Цуеси Секитани (Tsuyoshi Sekitani) разработали новый тип флеш-памяти, в основу которой легли органические структуры. Рабочее напряжение во время записи и чтения информации составляет 6 и 1 вольт соответственно, при этом перезаписывать данные можно более 1000 раз.
Сферой применения подобной разработки являются крупные сенсорные устройства, гаджеты на основе электронной бумаги и другие девайсы, где требуется недорогая и непроизводительная память. Главным недостатком органической памяти является непродолжительное время хранения информации - не более одного дня.
Подобная память отличается высокой гибкостью. Подложку можно согнуть на радиус 6 мм без какого-либо ущерба. Это делает разработку весьма перспективной для различного рода устройств.
Информация о появлении технологии на рынке пока не поступала.
По материалам Electronista
Статистика просмотров страницы:
- за прошлый месяц (Март 2024) - 2;
- за последние 3 месяца (Январь 2024 - Март 2024) - 5;
- за последний год (Апрель 2023 - Март 2024) - 5;