Cadence и Intel будут проектировать платформы на базе 14-нанометровых транзисторов для Intel Custom Foundry

Cadence Design Systems, Inc. (NASDAQ: CDNS) и корпорация Intel объявили о начале сотрудничества в области 14-нанометровой производственной технологии для Intel Custom Foundry. Стороны разработали адаптированные аналоговые процессы проектирования, включающие программные продукты Spectre® APS, Virtuoso® Schematic Editor, Virtuoso Layout Suite и Virtuoso Analog Design Environment. Компании также работают над цифровым проектированием Cadence, в котором будут использоваться Encounter® Digital Implementation System, QRC Extraction Solution и Tempus™ Timing Signoff Solution. Используя эти процессы, заказчики смогут воспользоваться преимуществами 14-нанометровой производственной технологии Intel.

Cadence предлагает память PHYLPDDR4-3200 для 14-нанометровой платформы проектирования низкоэнергетической продукции подразделения Intel Custom Foundry. Эта новейшая память PHYIP поддерживает скорость передачи данных до 3200 Мбит/с при частоте 1,6 ГГц, что позволяет ей воспользоваться всеми преимуществами технологии LPDDR4. Память Cadence® LPDDR4-3200 PHYIP имеет обратную совместимость с модулями памяти LPDDR3 и поддерживает системы с технологией монтажа «корпус-на-корпусе» и «память-на-печатной плате», что делает ее оптимальным решением для мобильной продукции, для которой требуется высокая скорость работы памяти, низкое энергопотребление, низкая стоимость и компактные размеры.

Intel Custom Foundry разработало масштабную платформу проектирования на основе 22- и 14-нанометровой производственной технологии Intel. Платформа проектирования 14-нанометровой продукции для однокристальных систем предназначена для облачных инфраструктур и мобильных приложений. 14-нанометровая платформа Intel представляет собой второе поколение, которое использует трехмерные транзисторы Tri-Gate для снижения уровня напряжения и уменьшения токов утечки. Это позволяет создать оптимальное соотношение производительности и энергоэффективности по сравнению с предыдущей версией транзисторов.