Кое-что о 45-и нанометрах

Intel открыла некоторые новые подробности о новом 45-нм техпроцессе на основе так называемых high-k диэлектриков. В основе технологии лежит использование гафния: по заявлению компании, применение этого редкоземельного материала позволит уменьшить ток утечки транзистора (эффект, приводящий к повышению энергопотребления и тепловыделения схемы) в 10 раз по сравнению с использованием традиционного диоксида кремния. В сочетании с использованием в контактах затвора транзисторов металла и ставшими типичными особенностями- медные межконтактные соединения, напряженный кремний, low-k диэлектрики в качестве изоляторов медных проводников – Intel заявляет о своем первенстве в использовании новых материалов в технологии изготовления процессоров.

Intel dual core 45 нм Penryn содержит 410 млн. транзисторов в сравнении с 291 млн. 65 нанометрового Conroe и имеет размер кристалла 110 квадратных мм против 143 последнего. Четырехядерный Yorkfield все так же продолжит традицию Kentsfield, совмещающего два кристалла Conroe на одной подложке – как считают в Intel это эффективнее и выгоднее в маркетинговом отношении, чем создавать отдельно единый четырехядерный чип. Рассеиваемая мощность Penryn для мобильных систем составит 35 ватт, настольных – 65 и серверных и экстрим-версий близко 80-и.

Вслед за Fab 28 в Израиле, во втором квартале этого года производством 45 нм процессоров займется завод Fab 32 в Аризоне, а позже, в начале 2008 года, подключится D1D, Орегон.