IBM продемонстрировала быструю память eDRAM

Сегодня компания IBM публично продемонстрировала свою самую быструю память, выполненную по технологии eDRAM. Представлены эти модули были на международной конференции по твёрдотельным схемам (International Solid State Circuits Conference), где было показано, что eDRAM обладает самым быстрым на данный момент временем отклика. Создаётся эта память с применением технологии "кремний на изоляторе" (silicon-on-insulator) и 65 нм технологического процесса, что позволяет сочетать низкое энергопотребление с высокой производительностью. При той же емкости, что и обычная SRAM, память типа eDRAM занимает в три раза меньше пространства, а потребляет в пять раз меньше энергии. В будущем IBM планирует перевести производство eDRAM на 45 нм техпроцесс. Технические характеристики модуля следующие:

• размер ячейки – 0.126 квадратных миллиметров;
• напряжение питания – 1 В;
• коэффициент готовности - 98.7%;
• емкость – 2 Mb;
• энергопотребление в рабочем режиме – 76 мВт;
• энергопотребление в режиме ожидания – 42 мВт;
• время случайного цикла – 2 нс;
• задержка – 1.5 нс.

Памяти eDRAM ещё предстоит пройти свой путь, прежде чем такие модули появятся в компьютерах пользователей, однако уже теперь ясно, что это достаточно перспективная технология. Более того, eDRAM достаточно давно используется в игровых консолях, например, в Nintendo Wii или Microsoft Xbox 360.