Intel и Micron разработали сверхбыструю NAND флеш-память

1 февраля компаний Intel и Micron объявили об успешном создании технологии, позволяющей создавать твердотельные накопители информации со скоростью обмена данных, превышающей существующие в пять раз. Разработанная вышеуказанными компаниями и воспроизведенная практически их совместным предприятием по производству NAND флеш-памяти IM Flash Technologies (IMFT), новая технология была названа спецификацией ONFI 2.0.

Устройство хранения информации построено на четырехуровневой архитектуре и способно достигать скоростей передачи данных до 200 MB/сек при чтении из памяти и до 100 MB/ сек при записи в память. Для существующих носителей NAND флеш-памяти данные показатели составляют 40 и 20 MB/сек соответственно.

Если учесть тот факт, что в наше время большинство "флешек" (SD, miniSD, microSD, MMC, MS и т.п.) основано именно на архитектуре NAND, то новая технология - это значительный прорыв. Пользователи, активно использующие "флешки", например, при записи видео высокого разрешения смогут гораздо быстрее оперировать со своей информацией. Особенно в свете грядущего интерфейса USB 3.0, который будет позволять устройствам обмениваться данными со скоростью до 4.8 Gbit/сек.

Массовое производство по новой технологии ожидается уже во второй половине 2008 года.