Компания Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства новой 1-гигабайтной DDR3-памяти на базе техпроцесса 54 нм.
Таким образом, с октября 2009 года клиенты Hynix смогут заказывать новые DDR3-чипы в конфигурациях х4 и х8. Память нового поколения от Hynix так же, как и DDR3-память первого поколения этой компании, работает на базе 1.5V, но, в целом, потребеление электроэнергии снижено на 30%.
В итоге эта память, по словам представителей Hynix, лучше подходит для использования в рамках устройств, требовательных к уровню эффективности энергопотребления, таких как мобильные устройства, смартфоны, ноутбуки. Кроме того, эта память также сможет эффективнее работать и в системах для интенсивной виртуализации (современные дата-центры или даже суперкомпьютеры).
По материалам DigiTimes
