Первые образцы 50 нм 16 Gb чипов флэш-памяти изготовила Samsung

Компания Samsung Electronics, преуспевшая в последнее время на поприще создания инновационных технологий памяти, покорила очередную вершину в данной области. На днях Samsung сообщила прессе о выпуске первых образцов чипов флэш-памяти ёмкостью 16 Gb (то есть 2 GB), изготовленных по 50 нм технологическому процессу. В новых модулях размер страницы памяти увеличен с 2 KB до 4 KB, что, по словам представителей компании, должно увеличить скорость чтения вдвое, а скорость записи – в полтора раза. Для изготовления NAND-флэш модуля используется многоуровневая упаковка элементов (multi-level cell, MLC). Массовое производство новых модулей памяти начнётся уже в этом квартале.

Несколько месяцев назад Samsung делилась ещё более впечатляющими достижениями: 32Gb NAND-флэш модуль, изготовленный с применением 40 нм технологического процесса. Однако, по всей видимости, ввести в массовое производство проще оказалось 50 нм техпроцесс. В любом случае, каждый подобный шаг приближает нас к быстрым, ёмким и недорогим твёрдотельным накопителям. Согласно прогнозам аналитиков, твёрдотельные накопители начнут вытеснять традиционные жёсткие диски уже в 2013 году.