Ученые увеличили срок жизни Flash-памяти

Разработан новый тип Flash-памяти, которая не только имеет меньшие размеры и энергопотребление, чем существующая технология, но предполагает больший срок службы. Чипы, выполненные по сегнетоэлектрической технологии, были разработаны в Национальном институте передовой промышленной науки и технологии совместно с Токийским университетом.

Показатель срока службы такой памяти увеличен в 10 тыс. раз, т. е. допустимое количество перезаписи доведено до 100 млн. Это достигнуто в том числе благодаря тому, что логика новых носителей данных будет стараться использовать ячейки памяти равномерно, а те блоки, которые все же могут выйти из строя, будут отключаться, т. е. с течением времени память не будет выходить из строя — просто ее объем будет уменьшаться. Таким образом, устранен главный недостаток существующей Flash-памяти.

Для записи необходимо напряжение тока 6 В, тогда как в существующих чипах — 20 В. Кроме того, у существующей технологии ограничение по нормам техпроцесса составляет 20 нм, а сегнетоэлектрическая технология, даже на начальном этапе своего развития, позволяет вести производство с использованием 10-нм норм.