Декабрь 19, 2019 Просмотры 115 просмотров

SK Hynix разработала самую быструю мобильную оперативную память

]Южнокорейский чипмейкер SK Hynix объявил о разработке самой быстрой мобильной динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM). По данным компании, скорость работы созданных микросхем примерно в четыре раза выше по сравнению с существующими решениями Low Power DDR4 (LPDDR4).
Издание Yonhap со ссылкой на заявление SK Hynix называет новую технологию "Wide IO2 mobile DRAM". Использующие ее 8-гигабитные чипы изготовлены на базе 20-нм техпроцесса и могут похвалиться скоростью передачи данных в 51,2 Гбайт/с против 12,8 Гбайт/с у LPDDR4. Новая память, предназначенная для смартфонов и планшетов, является двухканальной с суммарной шириной 512 бит.
Технология Wide IO2 позволяет выпускать модули памяти объемом до 32 Гбайт. Напряжение питания определено равным 1,1 В (как у LPDDR4).
Первые образцы новой мобильной "оперативки" SK Hynix уже поставляет крупным заказчикам и производителям однокристальных систем. Серийное производство Wide IO2 намечено на вторую половину 2015 года. Смартфоны, использующие новые модули ОЗУ, скорее всего, будут доступны на рынке в 2016 году.
Стоит отметить, что память LPDDR4 еще не используется на коммерческом рынке смартфонов и ориентировочно появится там во второй половине будущего года.

Южнокорейский чипмейкер SK Hynix объявил о разработке самой быстрой мобильной динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM). По данным компании, скорость работы созданных микросхем примерно в четыре раза выше по сравнению с существующими решениями Low Power DDR4 (LPDDR4).

Издание Yonhap со ссылкой на заявление SK Hynix называет новую технологию "Wide IO2 mobile DRAM". Использующие ее 8-гигабитные чипы изготовлены на базе 20-нм техпроцесса и могут похвалиться скоростью передачи данных в 51,2 Гбайт/с против 12,8 Гбайт/с у LPDDR4. Новая память, предназначенная для смартфонов и планшетов, является двухканальной с суммарной шириной 512 бит.

Технология Wide IO2 позволяет выпускать модули памяти объемом до 32 Гбайт. Напряжение питания определено равным 1,1 В (как у LPDDR4).

Первые образцы новой мобильной "оперативки" SK Hynix уже поставляет крупным заказчикам и производителям однокристальных систем. Серийное производство Wide IO2 намечено на вторую половину 2015 года. Смартфоны, использующие новые модули ОЗУ, скорее всего, будут доступны на рынке в 2016 году.

Стоит отметить, что память LPDDR4 еще не используется на коммерческом рынке смартфонов и ориентировочно появится там во второй половине будущего года.

 


Просмотры 115 просмотров

Отзывы

Админ
Отлично!
Март 28 Админ

Статьи и обзоры Все статьи

Китайская компания Tecno Mobie, вышла на мировой рынок несколько лет ...
У вас бывает такое? Видео на YouTube останавливается на самом ...
Какие услуги предоставляет компания "НЕТФЛОУ".
Квинслендский университет удивил новым опытом в области создания органического OLED-дисплея.