Декабрь 19, 2019 Просмотры 87 просмотров

Samsung разработал компактный модуль памяти DIMM

Компания Samsung Electronics сообщила о разработке первого модуля памяти DIMM на основе сквозной кремниевой технологии (Throught Silicon Via — TSV), благодаря которой удалось уменьшить размер модуля, повысить быстродействие и снизить энергопотребление памяти в целом.

Новый модуль состоит из двухгигабитных контейнеров памяти DRAM. Общая емкость платы составляет 4 ГБ. Каждый контейнер DRAM, в свою очередь, состоит из четырех чипов памяти емкостью 512 мегабит, уложенных вместе и представляющих собой единый блок под названием WSP (Wafer-level-processed Stacked Package).

В плате для передачи электрических импульсов используются крошечные отверстия в кремнии, высверленные лазером и заполненные медью. В то время как на традиционных платах памяти используются широкие металлические дорожки, что заставляет изготавливать модули с большими размерами.

Модуль памяти Samsung DIMM на основе TSV
Модуль памяти Samsung DIMM на основе TSV

По словам представителей компании, инновационная технология укладки чипов на основе сквозь кремниевых отверстий может быть использована не только для создания более компактных и емких модулей памяти, спрос на которые растет с каждым днем, но и для конструирования одночиповых компьютерных систем.


Просмотры 87 просмотров

Отзывы

Админ
Отлично!
Март 28 Админ

Статьи и обзоры Все статьи

Китайская компания Tecno Mobie, вышла на мировой рынок несколько лет ...
Как часто возникают из-за них пожары и стоит ли волноваться? ...
По данным одного из лучших разработчиков программного обеспечения Securing Sam, ...
Новые наушники от Apple уже доступны на официальном сайте производителя ...