В будущем году могут появиться смартфоны с 4 Гбайт оперативной памяти

Южнокорейская корпорация Samsung Electronics объявила о создании первого на рынке чипа памяти LPDDR4 емкостью 8 Гбит. Благодаря ему уже в будущем году могут появиться мобильные устройства с 8 Гбайт оперативной памяти. Пока рекордом остается 3 Гбайт ОЗУ, предусмотренные в "планшетофоне" Galaxy Note 3.

По словам производителя, новая микросхема создана по 20-нм технологическим нормам и обладает рекордной плотностью и высокими показателями производительности и энергоэффективности.

За счет использования нового интерфейса ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) пропускная способность памяти достигла 3200 Мбит/с, что в два раза выше по сравнению с технологией LPDDR3 DRAM. При этом новинка на 40% меньше потребляет энергии, что является важным преимуществом для современных смартфонов с мощной "начинкой".

Samsung говорит, что разработанная память может найти применение в смартфонах, планшетах и ноутбуках с 4K-экранами (разрешение - 3840 х 2160 пикселей).

К серийному производству мобильной памяти LPDDR4 DRAM производитель приступит в 2014 году. Не исключено, что она будет использоваться в следующем поколении флагманских смартфонов Samsung.